Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev

Devices for applying ultra-thin layers

Patent

Ion-atomový zdroj s optimalizovanou tvorbou iontů pro depozici s asistencí iontů (IBAD) v podmínkách ultravysokého vakua (UHV). Vynález je kombinací efusní cely a elektron srážkového iontového zdroje poskytující iontové svazky o ultranízkých energiích v rozmezí od 30 eV až 200 eV. Snížení energie iontového svazku na hypertermní hodnoty (cca 10 eV) je realizováno bez ztráty optimálních ionizační podmínek. Toto je dosaženo především začleněním ionizační komory s mřížkou, která je dostatečně transparentní pro elektrony a ionty. Zdrojem jsou připravovány ultratenké vrstevy a nanostruktury s asistencí iontů o ultranízkých energiích s rychlostí růstu několika monovrstev za hodinu.

The ion-atomic beam source with an optimized generation of ions for ion-beam-assisted deposition (IBAD) under ultra-high vacuum (UHV) conditions. The source combines an effusion cell and electron impact ion source and produces ion beams with ultra-low energies in the range from 30 eV to 200 eV. Decreasing ion beam energy to hyperthermal values (about 10 eV) without loosing optimum ionization conditions has been mainly achieved by the incorporation of an ionization chamber with a grid transparent enough for electron and ion beams. In this way, the energy and current density of nitrogen ion beams in the order of 10 eV and 100 nA/cm2, respectively, have been achieved. The source is capable of the growth of ultrathin layers or nanostructures at ultra-low energies with a growth rate of several MLs/hour.

05.05.2009

303867

Vut Brno