Product detail
SIMS TOF-LEIS depth profilometer with nanometer depth resolution
PRŮŠA, S. BÁBOR, P. KOLÍBAL, M. DUDA, R. ŠIKOLA, T.
Czech title
SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením
English title
SIMS TOF-LEIS depth profilometer with nanometer depth resolution
Type
functional specimen
Czech abstract
Zařízení SIMS a TOF-LEIS slouží k analýze povrchů a tenkých vrstev. Unikátnost zařízení spočívá především v tom, že kromě standardních způsobů měření umožňuje střídavé profilování metodami SIMS a TOF-LEIS ve stejném místě vzorku. Zařízení využívá k analýze dvou iontových svazků s energiemi v intervalu 0,2 – 5 keV. Složení vrstev v závislosti na hloubce (hloubkový profil) je měřen pomocí iontů odprášených z povrchu pomocí dopadajícího iontového svazku (metoda SIMS). Kromě odprášených iontů jsou k analýze využívány odražené částice od analyzovaného vzorku (metoda TOF-LEIS). Součástí tohoto zařízení je autorský software zajišťující koordinaci obou metod.
English abstract
SIMS and TOF-LEIS instrument is intended for analysis of surfaces and thin films. Besides standard modes of analysis it can be used for alternate depth profiling with both mentioned methods which option made this instrument unique. Instrument employs two ion beams with energies in the range from 0.2 keV to 5 keV. The beam for producing of sputtered ions (SIMS – Secondary Ion Mass Spectrometry) and the second one for ion scattering on the surface (TOF-LEIS Time of Flight Low Energy Ion Scattering). Both types of produced particles bring information about depth composition of analyzed sample. A part of this instrument is software enabling cooperation between both methods.
Create date
20.12.2008
Location
A2/518
WWW