Publication detail
Guided growth of cobalt islands on silicon substrate.
ČECHAL, J. POLČÁK, J. TOMANEC, O. ŠIKOLA, T.
Czech title
Řízený růst kobaltových ostrůvků na křemíkovém substrátu
English title
Guided growth of cobalt islands on silicon substrate.
Type
journal article - other
Language
cs
Original abstract
V článku je nastíněn způsob přípravy uspořádaných souborů kobaltových ostrůvků na povrchu oxidu křemičitého. Litografie fokusovaným iontovým svazkem byla použita k vytvoření míst, na kterých dochází k preferenční nukleaci ostrůvků. Tímto způsobem můžeme vytvořit soubory ostrůvků o dané velikosti a poloze.
Czech abstract
V článku je nastíněn způsob přípravy uspořádaných souborů kobaltových ostrůvků na povrchu oxidu křemičitého. Litografie fokusovaným iontovým svazkem byla použita k vytvoření míst, na kterých dochází k preferenční nukleaci ostrůvků. Tímto způsobem můžeme vytvořit soubory ostrůvků o dané velikosti a poloze.
English abstract
We have presented a straightforward method for fabrication of patterns of cobalt islands. The focussed ion beam lithography has been used to locally modify a native SiO2 layer on a silicon substrate. On the modified areas preferential nucleation of cobalt islands is observed due to a reduced surface diffusion of Co atoms in the vicinity of FIB modified areas. Using this method ordered arrays of islands with given size and positions may be prepared.
Keywords in Czech
Tenké vrstvy; Nukleace; Řízený růst; Fokusovaný iontový svazek; SiO2; Kobalt
Keywords in English
Thin films; Nucleation; Guided growth; Focussed ion beam SiO2; Cobalt
RIV year
2009
Released
01.09.2009
ISSN
0447-6441
Journal
Jemná mechanika a optika
Volume
54
Number
7-8
Pages from–to
222–224
Pages count
3
BIBTEX
@article{BUT48784,
author="Jan {Čechal} and Josef {Polčák} and Ondřej {Tomanec} and Tomáš {Šikola},
title="Řízený růst kobaltových ostrůvků na křemíkovém substrátu",
journal="Jemná mechanika a optika",
year="2009",
volume="54",
number="7-8",
month="September",
pages="222--224",
issn="0447-6441"
}