Detail předmětu
Fyzikální principy technologie výroby polovodičů
FSI-TP0 Ak. rok: 2019/2020 Zimní semestr
V kurzu je věnována pozornost jednotlivým krokům při výrobě a zpracování polovodičových materiálů. Pozornost je věnována fyzikálnímu a chemickému popisu jednotlivých procesů
Jazyk výuky
čeština
Počet kreditů
2
Garant předmětu
Zajišťuje ústav
Výsledky učení předmětu
Student získá přehled v oblasti technologií v polovodičovém průmyslu a použitých metodách.
Prerekvizity
Fyzika pevných látek, chemie
Plánované vzdělávací činnosti a výukové metody
Předmět je vyučován formou přednášek, které mají charakter výkladu základních principů a teorie dané disciplíny.
Způsob a kritéria hodnocení
Předmět je ukončen kolokviem a závěrečnou samostatnou prácí
Učební cíle
Hlavním cílem kurzu je využitím přednášek odborníků z praxe umožnit studentům
- vyjmenovat a popsat jednotlivé kroky při výrobě a zpracování polovodičových materiálů
- aplikovat základní znalosti fyziky za účelem fyzikální a chemický popis výrobních postupů
Použití předmětu ve studijních plánech
Program N-FIN-P: Fyzikální inženýrství a nanotechnologie, magisterský navazující, volitelný
Program B3A-P: Aplikované vědy v inženýrství, bakalářský
obor B-FIN: Fyzikální inženýrství a nanotechnologie, volitelný
Program M2A-P: Aplikované vědy v inženýrství, magisterský navazující
obor M-FIN: Fyzikální inženýrství a nanotechnologie, volitelný (nepovinný)
Typ (způsob) výuky
Přednáška
39 hod., nepovinná
Vyučující / Lektor
Osnova
– Přehled technologie výroby Si desek
- Růst monokrystalů křemíku
- Defekty v Si
- Analýza povrchů ve výrobě polovodičů
- Dekontaminace a leštění povrchu Si desek
- Přehled postupu výroby integrovaných obvodů
- Oxidace Si desek a difuze příměsí
- Chemické a plazmochemické depozice vrstev z plynné faze
- Fotolitografie vrstev, leptání SiO2
- Plazmochemické leptání vrstev, depozice kovových vrstev
- Aplikace statistických metod v průmyslu