Detail publikace
Velká rychlost pohybu doménových stěn za nulového magnetického pole indukovaná nízkými hustotami proudu v nanopruzích na bázi spinového ventilu
PIZZINI, S. UHLÍŘ, V. VOGEL, J. ROUGEMAILLE, N. LARIBI, S. CROS, V. JIMÉNEZ, E. CAMARERO, J. TIEG, C. BONET, E. BONFIM, M. MATTANA, R. DERANLOT, C. PETROFF, F. ULYSSE, C. FAINI, G. FERT, A.
Český název
Velká rychlost pohybu doménových stěn za nulového magnetického pole indukovaná nízkými hustotami proudu v nanopruzích na bázi spinového ventilu
Anglický název
High Domain Wall Velocity at Zero Magnetic Field Induced by Low Current Densities in Spin Valve Nanostripes
Typ
článek v časopise - ostatní, Jost
Jazyk
en
Originální abstrakt
Current-induced magnetic domain wall motion at zero magnetic field is observed in the permalloy layer of a spin-valve-based nanostripe using photoemission electron microscopy. The domain wall movement is hampered by pinning sites, but in between them high domain wall velocities (exceeding 150 m/s) are obtained for current densities well below 10^12 A/m2, suggesting that these trilayer systems are promising for applications in domain wall devices in case of well controlled pinning positions. Vertical spin currents in these structures provide a potential explanation for the increase in domain wall velocity at low current densities.
Český abstrakt
Pomocí fotoemisní elektronové mikroskopie byla pozorována velká rychlost pohybu doménových stěn (více než 150 m/s), indukovaná velmi nízkými hustotami elektrického proudu (10^12 A/m2) v nulovém magnetickém poli. Pohyb byl studován ve vrstvě NiFe v nanopruzích na bázi spinového ventilu NiFe/Cu/Co. Pohyb je limitován zachycováním doménových stěn podél nanopruhů, ale mezi těmito místy rychlosti doménových stěn přesahují 150 m/s za působení proudových hustot menších než 10^12 A/m2. Díky tomu jsou nanodráty na bázi spinového ventilu vhodnými kandidáty pro aplikace v magnetických záznamových zařízeních, za předpokladu dobře kontrolovaných míst zachycení doménových stěn. Možným vysvětlením vysoké účinnosti elektrického proudu v těchto strukturách je přítomnost vertikálních spinových proudů v blízkosti doménových stěn.
Anglický abstrakt
Current-induced magnetic domain wall motion at zero magnetic field is observed in the permalloy layer of a spin-valve-based nanostripe using photoemission electron microscopy. The domain wall movement is hampered by pinning sites, but in between them high domain wall velocities (exceeding 150 m/s) are obtained for current densities well below 10^12 A/m2, suggesting that these trilayer systems are promising for applications in domain wall devices in case of well controlled pinning positions. Vertical spin currents in these structures provide a potential explanation for the increase in domain wall velocity at low current densities.
Klíčová slova česky
Doménová stěna, pohyb; Spin Valve;
Klíčová slova anglicky
Domain Wall; Spin Valve, Motion
Rok RIV
2009
Vydáno
30.01.2009
ISSN
1882-0778
Ročník
2
Číslo
2
Strany od–do
023003-1–023003-3
Počet stran
3
BIBTEX
@article{BUT47147,
author="Stefania {Pizzini} and Vojtěch {Uhlíř} and Jan {Vogel} and Nicolas {Rougemaille} and Sana {Laribi} and Vincent {Cros} and Erika {Jiménez} and Julio {Camarero} and Carsten {Tieg} and Edgar {Bonet} and Marlio {Bonfim} and Richard {Mattana} and Cyrile {Deranlot} and Frédéric {Petroff} and Christian {Ulysse} and Giancarlo {Faini} and Albert {Fert},
title="High Domain Wall Velocity at Zero Magnetic Field Induced by Low Current Densities in Spin Valve Nanostripes",
year="2009",
volume="2",
number="2",
month="January",
pages="023003-1--023003-3",
issn="1882-0778"
}