Detail publikace
Mapování pnutí pomocí SLEEM
MIKMEKOVÁ, Š. MAN, O. PANTĚLEJEV, L. HOVORKA, M. MÜLLEROVÁ, I. FRANK, L. KOUŘIL, M.
Český název
Mapování pnutí pomocí SLEEM
Anglický název
Strain mapping by Scanning Low Energy Electron Microscopy
Typ
článek v časopise - ostatní, Jost
Jazyk
en
Originální abstrakt
The use of the scanning low energy electron microscopy (SLEEM) has been slowly making its way into the field of materials science, hampered not by limitations in the technique but rather by relative scarcity of these instruments in research institutes and laboratories. This paper reports the results obtained from an investigation of the microstructure of ultra fine-grained (UFG) copper fabricated using equal channel angular pressing (ECAP) method, namely in the as-pressed state and after annealing. SLEEM is very sensitive to the perfection of crystal lattice and using SLEEM, local strain can be effectively imaged.
Český abstrakt
Využití rastrovací mikroskopie pomalými elektrony (SLEEM) si pomalu razí cestu do oblasti materiálových věd, zdržována netoliko omezími techniky samotné, jako spíše relativní nečetností příslušných zařízení na vědeckých pracovištích a v laboratořích. Tento článek se přináší výsledky dosažené vyšetřováním mikrostruktury ultrajemnozrnné (UFG) mědi, vyrobené metodou bezkontrakčního protlačování (ECAP), zejména ve stavu po tváření a po žíhání. SLEEM je velmi citlivá na dokonalost krystalové mřížky, pročež s jejích využitím lze efektivně mapovat lokální pnutí.
Anglický abstrakt
The use of the scanning low energy electron microscopy (SLEEM) has been slowly making its way into the field of materials science, hampered not by limitations in the technique but rather by relative scarcity of these instruments in research institutes and laboratories. This paper reports the results obtained from an investigation of the microstructure of ultra fine-grained (UFG) copper fabricated using equal channel angular pressing (ECAP) method, namely in the as-pressed state and after annealing. SLEEM is very sensitive to the perfection of crystal lattice and using SLEEM, local strain can be effectively imaged.
Klíčová slova česky
rastrovací mikroskopie pomalými elektrony (SLEEM), krystalografický kontrast, mikroskopická pnutí
Klíčová slova anglicky
scanning low energy electron microscopy (SLEEM), contrast of crystal orientation, microscopic strain
Rok RIV
2010
Vydáno
01.03.2011
Nakladatel
Trans Tech Publications
Místo
Switzerland
ISSN
1013-9826
Časopis
Key Engineering Materials
Ročník
465
Číslo
1
Strany od–do
338–341
Počet stran
4
BIBTEX
@article{BUT49965,
author="Šárka {Mikmeková} and Ondřej {Man} and Libor {Pantělejev} and Miloš {Hovorka} and Ilona {Müllerová} and Luděk {Frank} and Miloslav {Kouřil},
title="Strain mapping by Scanning Low Energy Electron Microscopy",
journal="Key Engineering Materials",
year="2011",
volume="465",
number="1",
month="March",
pages="338--341",
publisher="Trans Tech Publications",
address="Switzerland",
issn="1013-9826"
}