Zařízení pro měření úhlového rozdělení intenzity elektromagnetického záření rozptýleného na površích pevných těles v infračervené a viditelné oblasti spektra

Device for measurement of electromagnetic waves scattering from surfaces of solids within infrared and visible spectral range

funkční vzorek

Zařízení umožňuje měřit i výrazně anizotropní úhlové rozdělení intenzity elektromagnetického záření rozptýleného z libovolných povrchů pevných těles v infračervené a viditelné oblasti spektra. Nastavitelné polohy jeho jednotlivých mechanických částí umožňují měřit rozptyl světla na studovaném povrchu při jeho různých orientacích vůči dopadajícímu zdroji elektromagnetického záření (polovodičový laser Thorlabs LDM1550 s vlnovou délkou 1550 nm a polovodičový laser Thorlabs LDM 635 s s vlnovou délkou 635 nm, Ar-Kr laser laditelný na 12 vlnových délek vystupujícího světla ve viditelné oblasti spektra) v celé hemisféře nad daným povrchem (střed hemisféry je totožný se středem ozářené plochy povrchu) s krokem daným přijímacím úhlem fotodiody (InGaAs PIN fotodioda Hamamatsu G10899 – 03K, délka hrany aktivní plochy diody je rovna 3 mm, vzdálenost dioda – střed ozářené plochy povrchu je rovna 200 mm), která je použita jako detektor intenzity rozptýleného záření. Pohyb příslušných mechanických částí SM je řízen počítačem. Výstupní signál fotodiody je digitalizován vhodně navrženým AD převodníkem a zpracováván speciálně vyvinutým software.

The apparatus enables us to measure also a very non-isotropic angular distribution of electromagnetic waves scattered from arbitrary surfaces of solids in infrared and visible spectral range. Adjustable positions of its individual mechanical parts enable us to measure the light scattering from a surface under study in various orientations of this surface relatively to an incident light laser beam (Semiconductor laser Thorlabs LDM1550 operating in the wavelength of 1550 nm, semiconductor laser Thorlabs LDM 635 operating in the wavelength of 635 nm and Ar-Kr laser adjustable in 12 wavelengths in visible spectral range) within a whole hemisphere above the given surface (the centre of the hemisphere is identical with the centre of the surface area irradiated) in a step given by a receiving angle of a photodiode (InGaAs PIN fotodioda Hamamatsu G10899 – 03K, the side of the active area of the photodiode is 3 mm, the distance from the photodiode to the centre of the irradiated surface area equals 200 mm) which is used as a detector of the scattered radiation intensity. The movement of adequate mechanical parts is controlled by means of a computer. The output signal of the photodiode is digitalized by an A-D converter and processed by home developed software.

06.12.2010

Laboratoř koherenční optiky ÚFI FSI VUT v Brně, budova A2, místnost 218

http://physics.fme.vutbr.cz/ufi.php?Id=1855