Detail publikace

TOF-LEIS analýza ultratenkých vrstev: růst vrsten Ga a GaN na Si (111)

KOLÍBAL, M. PRŮŠA, S. BÁBOR, P. BAUER, P. ŠIKOLA, T.

Český název

TOF-LEIS analýza ultratenkých vrstev: růst vrsten Ga a GaN na Si (111)

Anglický název

TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111)

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

en

Originální abstrakt

In-situ monitoring of thin Ga and GaN layers growth and TOF-LEIS structural analysis.

Český abstrakt

In-situ monitorování růstu tenkých vrstev Ga a GaN a jejich strukturní analýza pomocí TOF-LEIS.

Anglický abstrakt

In-situ monitoring of thin Ga and GaN layers growth and TOF-LEIS structural analysis.

Klíčová slova anglicky

TOF-LEIS, Ga, GaN,

Rok RIV

2003

Vydáno

08.09.2003

Nakladatel

FÚ AV ČR

Místo

Praha

Kniha

ECOSS 22 CD

Počet stran

2

BIBTEX


@inproceedings{BUT11087,
  author="Miroslav {Kolíbal} and Stanislav {Průša} and Petr {Bábor} and Petr {Bauer} and Tomáš {Šikola},
  title="TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111)",
  booktitle="ECOSS 22 CD",
  year="2003",
  month="September",
  publisher="FÚ AV ČR",
  address="Praha"
}