Detail publikace
Růst gallia na křemíku: studie užitím TOF-LEIS a AFM
KOLÍBAL, M. PRŮŠA, S. BÁBOR, P. BARTOŠÍK, M. TOMANEC, O. ŠIKOLA, T.
Český název
Růst gallia na křemíku: studie užitím TOF-LEIS a AFM
Anglický název
Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study
Typ
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
Jazyk
en
Originální abstrakt
Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study
Český abstrakt
Růst gallia na křemíku: studie užitím TOF-LEIS a AFM
Anglický abstrakt
Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study
Klíčová slova anglicky
Ga, TOF, structural analysis, AFM
Rok RIV
2004
Vydáno
11.11.2004
Nakladatel
VUT v Brně
Místo
Brno
ISBN
80-7355-024-5
Kniha
New Trend in Physics
Počet stran
4
BIBTEX
@inproceedings{BUT14279,
author="Miroslav {Kolíbal} and Stanislav {Průša} and Petr {Bábor} and Miroslav {Bartošík} and Ondřej {Tomanec} and M. {Draxler} and P. {Bauer} and Tomáš {Šikola},
title="Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study",
booktitle="New Trend in Physics",
year="2004",
month="November",
publisher="VUT v Brně",
address="Brno",
isbn="80-7355-024-5"
}