Detail publikace

Analýza ultratenkých vrstev metodou TOF-LEIS: růst vrstev Ga a GaN na Si(111)

KOLÍBAL, M. PRŮŠA, S. BÁBOR, P. ŠIKOLA, T.

Český název

Analýza ultratenkých vrstev metodou TOF-LEIS: růst vrstev Ga a GaN na Si(111)

Anglický název

ToF-LEIS Analysis of ultra thin films: Ga and Ga-N layer growth on Si(111)

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

en

Originální abstrakt

Paper deals with a ToF-LEIS Analysis of ultra thin films, Ga and Ga-N layer growth on Si(111)

Český abstrakt

Článek se zabývá analýzou ultratenkých vrstev metodou TOF-LEIS: růstem vrstev Ga a GaN na Si(111)

Anglický abstrakt

Paper deals with a ToF-LEIS Analysis of ultra thin films, Ga and Ga-N layer growth on Si(111)

Klíčová slova anglicky

ToF, LEIS, Ga, GaN, silicon

Rok RIV

2004

Vydáno

01.01.2004

ISSN

0039-6028

Časopis

Surface Science

Ročník

566-568

Číslo

9

Počet stran

5

BIBTEX


@article{BUT42358,
  author="Miroslav {Kolíbal} and Stanislav {Průša} and Petr {Bábor} and Tomáš {Šikola},
  title="ToF-LEIS Analysis of ultra thin films: Ga and Ga-N layer growth on Si(111)",
  journal="Surface Science",
  year="2004",
  volume="566-568",
  number="9",
  month="January",
  issn="0039-6028"
}