Detail publikace
Aplikace komplexní UHV aparatury ke studiu nízkoteplotního růstu velmi tenkých vrstev nitridu gallia.
VOBORNÝ, S. MACH, J. ČECHAL, J. KOSTELNÍK, P. TOMANEC, O. BÁBOR, P. SPOUSTA, J. ŠIKOLA, T.
Český název
Aplikace komplexní UHV aparatury ke studiu nízkoteplotního růstu velmi tenkých vrstev nitridu gallia.
Anglický název
Application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium-nitride Ultrathin Film Growth
Typ
článek v časopise - ostatní, Jost
Jazyk
en
Originální abstrakt
Paper deals with the application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium-nitride Ultrathin Film Growth
Český abstrakt
článek se zabývá aplikací komplexní UHV aparatury ke studiu nízkoteplotního růstu velmi tenkých vrstev nitridu gallia.
Anglický abstrakt
Paper deals with the application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium-nitride Ultrathin Film Growth
Klíčová slova anglicky
Ga, GaN, deposition, XPS
Rok RIV
2004
Vydáno
01.01.2004
ISSN
0447-6441
Časopis
Jemná mechanika a optika
Ročník
9
Číslo
9
Počet stran
5
BIBTEX
@article{BUT42366,
author="Stanislav {Voborný} and Jindřich {Mach} and Jan {Čechal} and Petr {Kostelník} and Ondřej {Tomanec} and Petr {Bábor} and Jiří {Spousta} and Tomáš {Šikola},
title="Application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium-nitride Ultrathin Film Growth",
journal="Jemná mechanika a optika",
year="2004",
volume="9",
number="9",
month="January",
issn="0447-6441"
}