Detail publikace

Charakterizace tenkých oxidových vrstev na GaAs substrátech pomocí optických metod a mikroskopie atomové síly

FRANTA, D. OHLÍDAL, I. KLAPETEK, P.OHLÍDAL, M.

Český název

Charakterizace tenkých oxidových vrstev na GaAs substrátech pomocí optických metod a mikroskopie atomové síly

Anglický název

Characterization of thin oxide films on GaAs substrates by optical methods and atomic force microscopy

Typ

článek v časopise ve Web of Science, Jimp

Jazyk

en

Originální abstrakt

The results of optical and atomic force microscopy characterization of oxide thin films prepared by thermal oxidation of GaAs single crystal wafers at a temperature of 500 deg oof Celsius in air are presented. The optical characterization is performed using multi-sample modification of the method based on combining variable angle spectroscopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry. It is shown that the films exhibit the rough lower boundaries and refractive index profile inhomogeneities. The spectral dependences of refractive index and extinction coefficient of these films are presented within wide spectral region, i.e., 210-900 nm. The values of thicknesses and roughness parameters characterizing the oxide films are introduced as well.

Český abstrakt

Jsou prezentovány výsledky charakterizace oxidových tenkých vrstev připravených termickou oxidací GaAs monokrystalických destiček při teplotě 500 stupňů Celsia ve vzduchu. Optická charakterizace je provedena užitím modifikace metody založené na kombinaci spektrální elipsometrie s proměnným úhlem dopadu a spektrální reflektometrie při téměř kolmém dopadu. Je ukázáno, že vrstvy vykazují drsná spodní rozhraní a nehomogenity v profilu indexu lomu. Spektrální závislosti indexu lomu a extinkčního koeficientu těchto vrstev jsou prezentovány v široké spektrální oblasti 210-900 nm. Jsou rovněž uvedeny tloušťky a parametry drsnosti charakterizující tyto oxidové vrstvy.

Anglický abstrakt

The results of optical and atomic force microscopy characterization of oxide thin films prepared by thermal oxidation of GaAs single crystal wafers at a temperature of 500 deg oof Celsius in air are presented. The optical characterization is performed using multi-sample modification of the method based on combining variable angle spectroscopic ellipsometry and near-normal spectroscopic reflectometry. It is shown that the films exhibit the rough lower boundaries and refractive index profile inhomogeneities. The spectral dependences of refractive index and extinction coefficient of these films are presented within wide spectral region, i.e., 210-900 nm. The values of thicknesses and roughness parameters characterizing the oxide films are introduced as well.

Klíčová slova česky

GaAs oxidové vrstvy , elipsometrie, reflektometrie, AFM, optické konstanty, drsnost

Klíčová slova anglicky

GaAs oxide films, ellipsometry, reflectometry, AFM, optical constants, roughness

Rok RIV

2004

Vydáno

01.01.2004

Nakladatel

John Wiley & Sons, Ltd.

Místo

CHICHESTER PO19 8SQ, W SUSSEX, ENGLAND

ISSN

0142-2421

Časopis

Surface and Interface Analysis

Ročník

36

Číslo

8

Strany od–do

1203–1206

Počet stran

4

BIBTEX


@article{BUT46462,
  author="Daniel {Franta} and Ivan {Ohlídal} and Petr {Klapetek} and Miloslav {Ohlídal},
  title="Characterization of thin oxide films on GaAs substrates by optical methods and atomic force microscopy",
  journal="Surface and Interface Analysis",
  year="2004",
  volume="36",
  number="8",
  month="January",
  pages="1203--1206",
  publisher="John Wiley & Sons, Ltd.",
  address="CHICHESTER PO19 8SQ, W SUSSEX, ENGLAND",
  issn="0142-2421"
}