Detail publikace
Tenké vrstvy Sn-CeO2 připravené magnetronovým naprašováním: studie pomoví XPS a SIMS
MAŠEK, K. VÁCLAVŮ, M. BÁBOR, P. MATOLÍN, V.
Český název
Tenké vrstvy Sn-CeO2 připravené magnetronovým naprašováním: studie pomoví XPS a SIMS
Anglický název
Sn-CeO2 thin films prepared by rf magnetron sputtering: XPS and SIMS study
Typ
článek v časopise - ostatní, Jost
Jazyk
en
Originální abstrakt
Sn addition in the CeO2 thin film by simultaneous Sn metal and cerium oxide magnetron sputtering causes growth of Ce3+ rich films whilst pure cerium oxide sputtering provides stoichiometric CeO2 layers. Ce4+ – Ce3+ conversion is explained by a charge transfer from Sn atoms to unoccupied orbital Ce 4f0 of cerium oxide by forming Ce 4f1 state. XPS and SIMS revealed a formation of a new chemical Ce(Sn)+ state, which belongs to SnCeO2 species.
Český abstrakt
Přidání atomů Sn do tenké vrstvy CeO2 při soušasném magnetronovém naprašování Sn CeO2 způsobí růst na Ce3+ bohatých vrstev zatímco při depozice čistého CeO2 vziká stochiometrické CeO2 vrstvy.
Anglický abstrakt
Sn addition in the CeO2 thin film by simultaneous Sn metal and cerium oxide magnetron sputtering causes growth of Ce3+ rich films whilst pure cerium oxide sputtering provides stoichiometric CeO2 layers. Ce4+ – Ce3+ conversion is explained by a charge transfer from Sn atoms to unoccupied orbital Ce 4f0 of cerium oxide by forming Ce 4f1 state. XPS and SIMS revealed a formation of a new chemical Ce(Sn)+ state, which belongs to SnCeO2 species.
Klíčová slova česky
CeO2; Sn-CeO2; SIMS; XPS; Magnetronové naprašování
Klíčová slova anglicky
Cerium oxide; Tin-cerium mixed oxide; SIMS; XPS; Magnetron sputtering
Rok RIV
2009
Vydáno
15.04.2009
ISSN
0169-4332
Časopis
Applied Surface Science
Ročník
255
Číslo
13-14
Strany od–do
6656–6660
Počet stran
5
BIBTEX
@article{BUT47187,
author="Karel {Mašek} and Michal {Václavů} and Petr {Bábor} and Vladimír {Matolín},
title="Sn-CeO2 thin films prepared by rf magnetron sputtering: XPS and SIMS study",
journal="Applied Surface Science",
year="2009",
volume="255",
number="13-14",
month="April",
pages="6656--6660",
issn="0169-4332"
}