Detail publikace
Aplikace ToF - LEIS pro analýzu povrchů a velmi tenkých vrstev.
PRŮŠA, S. ŠIKOLA, T. BÁBOR, P.
Český název
Aplikace ToF - LEIS pro analýzu povrchů a velmi tenkých vrstev.
Anglický název
Application of ToF - LEIS for Analysis of Surfaces and Ultra Thin Films
Typ
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
Jazyk
en
Originální abstrakt
Low Energy Ion Scattering (LEIS) belongs to a wide group of surface science analytical techniques. Low detection limit and extreme surface sensitivity are the main advantages of LEIS. Atomic composition of analysed surfaces is determined from the energy distribution of the scattered rare gas ions. Their kinetic energy can be measured by a Time-of-Flight (ToF) spectrometer. Capabilities of the ToF LEIS spectrometer will be demonstrated at analysis of gallium layers evaporated on a SiO2 substrate
Český abstrakt
Představeny jsou možnosti měření Ga vrstev na SiO2 pomocí ToF LEIS Spektrometru
Anglický abstrakt
Low Energy Ion Scattering (LEIS) belongs to a wide group of surface science analytical techniques. Low detection limit and extreme surface sensitivity are the main advantages of LEIS. Atomic composition of analysed surfaces is determined from the energy distribution of the scattered rare gas ions. Their kinetic energy can be measured by a Time-of-Flight (ToF) spectrometer. Capabilities of the ToF LEIS spectrometer will be demonstrated at analysis of gallium layers evaporated on a SiO2 substrate
Klíčová slova anglicky
ToF, LEIS, sputtering, Ga, SiO2
Rok RIV
2002
Vydáno
15.11.2001
Nakladatel
FEI VUT v Brně
Místo
Brno
ISBN
80-214-1992-X
Kniha
Sborník příspěvků konference Nové trendy ve fyzice
Počet stran
6
BIBTEX
@inproceedings{BUT6506,
author="Stanislav {Průša} and Tomáš {Šikola} and Petr {Bábor},
title="Application of ToF – LEIS for Analysis of Surfaces and Ultra Thin Films",
booktitle="Sborník příspěvků konference Nové trendy ve fyzice",
year="2001",
month="November",
publisher="FEI VUT v Brně",
address="Brno",
isbn="80-214-1992-X"
}